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NAME : 관리자 DATE : 2008-06-12 HIT : 10198
SUBJECT : 뉴모닉스,  中  하이닉스  합작공장에  추가투자
권해주기자  postman@inews24.com 



글로벌  반도체  기업  인텔과  ST마이크로일렉트로닉스의  메모리반도체  부문이  합쳐져  설립된  뉴모닉스가  국내  하이닉스반도체와  합작으로  세운  중국  공장에  추가  투자를  실시한다. 

브라이언  해리슨  뉴모닉스  최고경영자(CEO)는  21일  취임  후  국내에서  열린  첫  기자간담회에서  "하이닉스와  함께  세운  중국  우시공장에  추가로  투자해,  지분율을  이전과  같은  33.3%로  높일  것"이라고  밝혔다. 

당초  하이닉스는  ST마이크로와  공동  투자로  우시에  300㎜  웨이퍼  메모리반도체  공장을  세웠다.  설립  당시  ST마이크로  지분율은  33.3%로,  이는  그대로  뉴모닉스에  전달됐다.  그러나  그동안  하이닉스가  단독으로  투자에  나서면서  뉴모닉스  지분율이  16.7%로  떨어진  상태. 

뉴모닉스가  이전과  같은  지분율을  확보하려면  2억5천만달러  가량을  투입해야  할  것으로  예상된다.  이로써  하이닉스와  뉴모닉스는  동시에  낸드플래시  생산능력을  확대할  수  있게  될  전망이다. 

뉴모닉스는  시장조사업체  아이서플라이의  2007년  기준  집계에서  전체  80억달러  규모의  노어플래시  부문  35.8%  점유율로  스팬션(32.9%),  삼성전자(13.9%)  등을  제치며  1위에  올랐다. 

낸드플래시와  노어플래시를  합친  플래시메모리  시장에선  220억달러의  시장규모  중  삼성전자(32.1%),  도시바(19%)에  이어  14%  점유율로  3위를  차지했다.  플래시메모리  중  낸드플래시  사업만  하는  하이닉스는  10.9%  점유율로  뉴모닉스에  밀리게  됐다. 

단  뉴모닉스의  주력사업인  노어플래시  부문은  선두권  기업들이  대부분  적자를  면치  못하고  있다는  점에서  수익성  개선이  요구되고  있다.  뉴모닉스는  인텔과  ST마이크로의  노어플래시  및  상변화메모리(P램),  ST마이크로의  낸드플래시  사업을  각각  이관받았다. 

해리슨  CEO는  "모바일  및  소비가전  분야의  다양한  제품군과  현명한  투자를  바탕으로,  수익성을  갖춘  성장을  도모할  것"이라고  말했다. 

또  "최근  낸드플래시  부문의  수급  개선과  함께  가격  흐름이  견실한  모습을  보이고  있다"며  "하이닉스와  생산  강화  및  연구개발(R&D)·사업  확장  등으로  역동적인  성장을  보이는  중국  소비가전  분야  공략에  나서겠다"고  전했다. 

뉴모닉스는  하이닉스와  협력에  나서면서  낸드플래시  최첨단  공정인  48나노미터  선폭  공정을  도입하는  한편,  노어플래시  부문에서  45나노  공정까지  미세화  작업을  진행하고  있다.